Name: Infineon Technologies BSZ165N04NS G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ165N04NS G
Price: 3.76 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSZ165N04NS G

Artikelnummer:

BSZ165N04NS G

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

BSZ165N04NS G Infineon Technologies

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Infineon Technologies BSZ165N04NS G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ165N04NS G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 10µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TSDSON-8
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.1W (Ta), 25W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.9A (Ta), 31A (Tc)
BSZ165N04NS G Einzelheiten PDF [English]	BSZ165N04NS G PDF - EN.pdf

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